@MastersThesis{AmaralJr:2014:PrSiPo,
               author = "Amaral Junior, Miguel Angelo do",
                title = "Produ{\c{c}}{\~a}o de sil{\'{\i}}cio poroso por processo 
                         eletroqu{\'{\i}}mico e estudos da evolu{\c{c}}{\~a}o 
                         morfol{\'o}gica e do tamanho dos cristalitos",
               school = "Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)",
                 year = "2014",
              address = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
                month = "2014-02-24",
             keywords = "modelo de confinamento de f{\^o}nons, evolu{\c{c}}{\~a}o 
                         morfol{\'o}gica, cristalitos, aplica{\c{c}}{\~o}es 
                         eletroqu{\'{\i}}micas, phonon confinement model, morphological 
                         evolution, crystallite, electrochemical apllications.",
             abstract = "O Sil{\'{\i}}cio Poroso {\'e} um material muito vers{\'a}til, 
                         apresenta alta {\'a}rea superficial, propriedade de 
                         fotoluminesc{\^e}ncia no espectro vis{\'{\i}}vel e uma grande 
                         diversidade de tamanho e formato de poros. Normalmente pode ser 
                         facilmente obtido atrav{\'e}s de um ataque qu{\'{\i}}mico em 
                         meio a {\'A}cido Fluor{\'{\i}}drico (HF). Neste trabalho foi 
                         produzido pela t{\'e}cnica de ataque eletroqu{\'{\i}}mico em 
                         uma solu{\c{c}}{\~a}o contendo HF/ H\$_{2}\$O deionizada/ 
                         Etanol, nas seguintes propor{\c{c}}{\~o}es volum{\'e}tricas 
                         (1:2:1). Utilizou-se laminas de Sil{\'{\i}}cio monocristalino 
                         tipo-n com orienta{\c{c}}{\~a}o cristalogr{\'a}fica (100) e 
                         resistividade de 1-20 \$\Omega\$.cm. Este trabalho pode ser 
                         resumido em duas partes: (a) parte experimental; que envolve a 
                         obten{\c{c}}{\~a}o do sil{\'{\i}}cio poroso em duas 
                         condi{\c{c}}{\~o}es diferentes (tempo de ataque e densidade de 
                         corrente) e as t{\'e}cnicas de caracteriza{\c{c}}{\~a}o 
                         (Microscopia Eletr{\^o}nica de Varredura (MEV), Perfilometria 
                         {\'O}ptica e Espectroscopia Raman), e (b) parte te{\'o}rica; 
                         aplica o modelo de confinamento de f{\^o}nons para estimar o 
                         tamanho dos cristalitos. O principal objetivo {\'e} analisar a 
                         evolu{\c{c}}{\~a}o morfol{\'o}gica da camada porosa, tamanho do 
                         poro, profundidade do ataque, {\'a}rea superficial, rugosidade e 
                         tamanho do cristalito, {\`a} medida que o tempo de ataque e a 
                         densidade de corrente variam. Foi desenvolvido um programa com 
                         interface gr{\'a}fica para calcular o tamanho do cristalito nas 
                         duas condi{\c{c}}{\~o}es diferentes de ataque. ABSTRACT: The 
                         Porous Silicon is a very versatile material with high surface 
                         area, property of photoluminescence in the visible spectrum and a 
                         wide range of pore shape and size. Usually the porous silicon can 
                         be easily obtained by chemical etching in an environment 
                         containing hydrofluoric acid (HF). In this work, porous silicon 
                         was produced by electrochemical etching technique in a solution 
                         containing HF/ deionized water / Ethanol. It was used silicon 
                         wafers monocrystalline n-type with crystallographic orientation 
                         (100) and resistivity of 1-20 \$\Omega\$.cm. This work can be 
                         summarized in two parts: (a) experimental part, which involves the 
                         porous silicon preparation in two different conditions (etching 
                         time and current density) and characterization techniques 
                         (Scanning Electron Microscopy (SEM), Raman Spectroscopy and 
                         Optical Profilometry), and (b) theoretical part, which apply the 
                         phonon confinement model to estimate the crystallite size. The 
                         main objective is to analyze the morphological evolution of the 
                         porous layer, pore size, depth, surface area, roughness and 
                         crystallite size, as a function of etching time and of current 
                         density. A program as developed with a graphical interface to 
                         calculate the size of the crystallites for the two different 
                         conditions.",
            committee = "Baldan, Maur{\'{\i}}cio Ribeiro (presidente/orientador) and 
                         Beloto, Antonio Fernando (orientador) and Ferreira, Neidenei Gomes 
                         and Corr{\^e}a, Washington Luiz Alves",
         englishtitle = "Production of porous silicon by electrochemical process and 
                         studies of morphological evolution and crystallite size",
             language = "pt",
                pages = "105",
                  ibi = "8JMKD3MGP7W/3FMP3NB",
                  url = "http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP7W/3FMP3NB",
           targetfile = "publicacao.pdf",
        urlaccessdate = "06 maio 2024"
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